IT商业网-解读信息时代的商业变革
当前位置: 首页 > 通信 > 正文

中兴专家:5G中高频器件技术难度高 需要业界提前布局

2019-08-12 10:15:43 来源:C114中国通信网   

  无线电频谱是国家宝贵的战略资源。2016年,美国率先发布5G频率规划,规划了5G高、中、低频,但在5G产业初期选择高频段部署5G,一时间吸引了不少国家效仿。

  不同的频谱对器件、芯片乃至终端、基站的要求并不一致,各国的技术储备也有明显区别。业界专家阚润田认为,2017年11月,中国顶住压力,综合考虑在芯片设计、生产制造等方面的优势和差距,准确研判,在国际上率先发布5G中频段频率规划,并率先重耕5G低频段,与中频段同期展开大规模部署。

  目前,3.5GHz中频段已经成为国际5G初期部署的主流频段。不过,今后毫米波仍将在5G商用中起到重要作用。在高频器件领域,设备厂商对器件厂商有哪些需求和建议?在日前举办的2019汇芯(中国)产业技术发展论坛上,中兴通讯5G规划总工张国俊介绍,5G高频专用器件包括相控芯片、变频器、毫米波放大器等,技术难度高,有较长市场周期,需要做技术的提前布局。此外,中高频共用器件如PLL/时钟、transceiver、AD/DA、光模块/光芯片、滤波器,同样具备高技术难度。

  张国俊认为,宽带低功耗AD/DA适合5G商用竞争力的器件厂家较少,而多通道集成transceiver需要包括AD/DA、射频等更多技术集成,终端类集成SOC还无法达到无线基站对大带宽和高性能的要求。业界必须结合5G商用周期,制定3~5年产品路标,对这些器件所需的工艺和IP进行研发,推出具有竞争力的商用芯片。

  此外,业界传统相控阵系统技术已有积累,但应用场景有较大差异,不适合5G商用对整机小型化、低功耗、低成本的需求,需要针对5G商用做低成本、降复杂度移植。

  在射频器件领域,5G毫米波也缺少高集成、低功耗、低成本芯片,厂家技术需和设备商需求进行对标,实现相控阵射频芯片的集成化和单片化。

  高频突破1Gbps带宽的模数转换芯片,国内差距很大,IC企业和封测企业需要参考基站设备交付要求,提前建立产能和规模交付质量。

  对于中高频所需的大功率器件,需要采用GaN工艺,国内GaN工艺在5G领域的应用研究起步较早,但技术能力和器件的批量性能,仍不足应对市场竞争。无论是器件制造商、5G衬底材料供应商,还是封装测试厂商,都需要提前做好技术储备,为GaN器件的规模量产做好准备。

免责声明: IT商业新闻网遵守行业规则,本站所转载的稿件都标注作者和来源。 IT商业新闻网原创文章,请转载时务必注明文章作者和来源“IT商业新闻网”, 不尊重本站原创的行为将受到IT商业新闻网的追责,转载稿件或作者投稿可能会经编辑修改或者补充, 如有异议可投诉至:post@itxinwen.com
微信公众号:您想你获取IT商业新闻网最新原创内容, 请在微信公众号中搜索“IT商业网”或者搜索微信号:itxinwen,或用扫描左侧微信二维码。 即可添加关注。
标签:

品牌、内容合作请点这里: 寻求合作 ››

相关阅读RELEVANT